wafer flatness

wafer flatness
plokštelės plokštumas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer flatness vok. Waferebenheit, f rus. плоскостность пластины, f pranc. planéité de la tranche, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

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  • planéité de la tranche — plokštelės plokštumas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer flatness vok. Waferebenheit, f rus. плоскостность пластины, f pranc. planéité de la tranche, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • plokštelės plokštumas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer flatness vok. Waferebenheit, f rus. плоскостность пластины, f pranc. planéité de la tranche, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • плоскостность пластины — plokštelės plokštumas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer flatness vok. Waferebenheit, f rus. плоскостность пластины, f pranc. planéité de la tranche, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

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  • Immersion lithography — is a photolithography resolution enhancement technique that replaces the usual air gap between the final lens and the wafer surface with a liquid medium that has a refractive index greater than one. The resolution is increased by a factor equal… …   Wikipedia

  • Czochralski process — The Czochralski process The Czochralski process is a method of crystal growth used to obtain single crystals of semiconductors (e.g. silicon, germanium and gallium arsenide), metals (e.g. palladium, platinum, silver, gold), salts, and synthetic …   Wikipedia

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